Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε₀ = 8,85 x 10^-12 F/m e a permissividade relativa do óxido ε_ox = 4)