A dopagem no diodo é feita pela introdução de elementos dentro de cristais bivalentes, normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obtêm-se átomos com cinco elétrons na camada de valência, que necessitam de mais três elétrons para a neutralização (cristal P). Para a formação do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento índio.