O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos sinais são g_m = 16,6 × 10^-3 S, rB = 6,0 k!$ \Omega !$ e r_o = 121 k!$ \Omega !$. Com referência a esse circuito, julgue o item seguinte.

Para que haja máxima absorção de potência pela carga R_G, é necessário que o valor de R_G seja diferente da resistência equivalente de Thévenin do circuito amplificador, que, no circuito apresentado, é dada precisamente por 2,5 k!$ \Omega !$.