Magna Concursos
1591641 Ano: 2004
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: INPE

Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.

O transistor MOS canal N aproxima-se de uma chave ideal nas aplicações digitais, mas degrada ligeiramente o nível lógico 0, ao passá-lo de fonte para dreno.

 

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Tecnologista Júnior - Engenharia Elétrica

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