Todos os transistores da figura 9 têm as seguintes características: NMOS tipo enriquecimento, !$ V_T = 1 V !$, !$ λ = 0 !$, !$ μ_nC_{ox} { \large W \over L} = 0,8 mA/V !$ e !$ I_D = { \large 1 \over 2} μ_nC_{ox} { \large W \over L} (V_{GS} - V_T)^2 !$ na saturação.
A corrente !$ I_D = 0,1 mA !$é obtida com
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Professor PEBTT - Eletrônica e Instrumentação
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