O silício, material que atualmente é o mais utilizado na microeletrônica, é também o semicondutor com melhores propriedades para a construção de dispositivos ópticos.

Os valores máximos do módulo do vetor de onda k na primeira zona de Brillouin de um material semicondutor tendem a ser muito maiores que o módulo do vetor de onda de fótons absorvidos por esse material. Sendo assim, as transições promovidas apenas por absorção de fótons, em um diagrama energia versus vetor k típico, são praticamente verticais.

Denomina-se material de gap direto, ou de transição direta, o material para o qual as transições permitidas são aquelas entre níveis de energia adjacentes.

Uma transição indireta envolve a interação entre elétrons, fótons e éxcitons.

Semicondutores tendem a ser transparentes para baixos comprimentos de onda, porque os fótons desse tipo de radiação são incapazes de transferir energia suficiente para a transição da banda de valência para a banda de condução.