Questão 1397395

1397395 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

Provas:

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.

junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.

junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.

junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.

junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

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