A tabela mostra os dados do Si @ 300K:
|
gap (eV) |
ni (cm-3) |
NC (cm-3) |
NV (cm-3) |
mn (cm2/V.s) |
mp (cm2/V.s) |
Dn (cm2/s) |
Dp (cm2/s) |
e |
| 1,12 | 1,5 x 1010 | 2,8 x 1019 | 1,02 x 1019 | 1350 | 480 | 35 | 12,5 | 11,8 |
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Willey, New York, 1981
Uma junção p-n de Si tem uma concentração de impurezas doadoras igual a 1016 cm-3, e 1018 cm-3 de aceitadoras. Aponte dentre as alternativas o valor correto do potencial de contato dessa junção.
Constantes Físicas:
kB = 1,38062 x 10-23 J/K
e = 1,60219 x 10-19 C
h = 6,62620 x 10-34 J.s
e0 = 8,85 x 10-12 C2/Nm2
e = 1,60219 x 10-19 C
h = 6,62620 x 10-34 J.s
e0 = 8,85 x 10-12 C2/Nm2
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