O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) tipo enriquecimento de canal n é um transistor de quatro terminais, sendo eles: porta (G), dreno (D), fonte (S) e corpo (B). Na maioria das aplicações, o terminal do corpo (B) é interconectado ao terminal da fonte (S), reduzindo o número de terminais para três. Nessa configuração, as tensões de Corrente Contínua (DC) dos terminais de porta (V_G), dreno (V_D) e fonte (V_S) determinam o ponto de polarização do dispositivo. Além disso, a análise do ponto de operação leva em consideração a tensão de limiar (V_t). A diferença de potencial entre dois terminais, como por exemplo entre os terminais D e S, utiliza a notação V_DS. Para operação como amplificador de sinais, o MOSFET é colocado na região de operação conhecida como saturação. Nessa região de operação