Um substrato de silício do tipo p, com 5.1015 átomos de boro por cm3, foi a matéria prima para fabricar microcircuitos eletrônicos. Para produzir as uniões n-p, se difundiram átomos de fósforo no substrato. Na temperatura de pré-deposição de 1.000°C, a solubilidade do P no Si é 1.10 21 átomos de P/cm3. O coeficiente de difusão do P no Si na temperatura de 1.000°C é 1,2. 10-14cm2/s.
Calcule a profundidade das uniões depois da pré-deposição em tempo de 3.600s.
| Y | ERF(Y) | Y | ERF(Y) | Y | ERF(Y) | Y | ERF(Y) |
| 0 | 0 | 0,5 | 0,521 | 1,0 | 0,843 | 2,0 | 0,995 |
| 0,1 | 0,112 | 0,6 | 0,604 | 1,2 | 0,910 | 2,4 | 0,999 |
| 0,2 | 0,223 | 0,7 | 0,678 | 1,4 | 0,952 | - | - |
| 0,3 | 0,329 | 0,8 | 0,742 | 1,6 | 0,976 | - | - |
| 0,4 | 0,428 | 0,9 | 0,797 | - | - | - | - |
A profundidade das uniões é igual a
