Questão 1406929

1406929 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

Provas:

As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:

Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta mobilidade iônica.

A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água.

A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca.

Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO₂.

A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.

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