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1547383 Ano: 2009
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFCG
Orgão: UFCG
A figura ao lado é um esquema de um transistor MOSFET.
Enunciado 1547383-1
Há uma diferença de potencial aplicada entre a fonte e o dreno (!$ V_D !$) e !$ V_G !$ é a diferença de potencial utilizada para controlar a densidade de elétrons no canal. Observando-se a figura pode-se afirmar, em relação à operação desse dispositivo, EXCETO, que
 

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