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Respondida
1383341
Ano:
2012
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Banca:
FUNRIO
Orgão:
CEITEC
Provas:
Especialista em Tecnologia Eletrônica Avançada - CQUALF
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Portas lógicas básicas, Famílias Lógicas e Circuitos Integrados
Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?
A
Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
B
Somente a Mobilidade de portadores no canal.
C
Somente a espessura do óxido de porta.
D
Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
E
Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.
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