O transistor do circuito abaixo é de silício e apresenta o ganho de corrente h_fe = 300 e h_ie = 1,0 kΩ e os capacitores têm reatâncias desprezíveis.

No ponto E aplica-se um sinal senoidal e_c (t) = sen ωt. O equivalente aproximado de Thèvenim entre o ponto S e o ponto de aterramento é uma fonte de: