Analise as seguintes afirmações sobre as características e o funcionamento de dispositivos semicondutores de potência:

I. O Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) é um dispositivo híbrido que associa a alta impedância de entrada e a velocidade de comutação dos MOSFETs com a baixa queda de tensão em estado de condução e alta capacidade de corrente dos Transistores de Junção Bipolar (BJT).

II. Os MOSFETs de potência são inerentemente mais rápidos na comutação do que os BJTs de potência, pois são dispositivos controlados por tensão e não sofrem com o efeito do tempo de armazenamento de portadores de carga minoritários, sendo ideais para aplicações de alta frequência.

III. O Retificador Controlado de Silício (SCR) é um tiristor que pode ser tanto ligado quanto desligado por meio de um pulso de corrente em seu terminal de porta (gate), permitindo controle total sobre o ciclo de condução.

IV. O TRIAC é um dispositivo bidirecional, funcionalmente equivalente a dois SCRs em paralelo invertido (antiparalelo) com um terminal de gate comum, projetado para o controle de potência em circuitos de corrente contínua (CC).

V. O Tiristor de Desligamento pela Porta (GTO) possui, como principal vantagem sobre um SCR de mesma capacidade, uma queda de tensão significativamente menor quando em estado de condução direta.

Das afirmações acima, estão CORRETAS apenas: