O modelo quadrático do MOSFET de canal n no regime de saturação, desprezando-se efeito de modulação do comprimento de canal, é:
                                                                                  

\( I_D = \dfrac{1}{2} k_n(V_{GS} - V_T)^2 \)

Considere um MOSFET com k_n =0,4A/V², V_T =2V, operando com V_GS = 6V.  
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será