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Foram encontradas 160 questões.

684451 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.
 

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684450 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.
 

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684449 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.
 

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684448 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Enunciado 684448-1
Considere que o amplificador a transistor bipolar ilustrado anteriormente esteja polarizado na região ativa. Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
O circuito corresponde a um amplificador na configuração emissor comum.
 

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684447 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Enunciado 684447-1
Considere que o amplificador a transistor bipolar ilustrado anteriormente esteja polarizado na região ativa. Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
Caso o capacitor C3 seja retirado do circuito, ocorrerá uma mudança nas correntes de polarização do transistor, acompanhada de um aumento no ganho de tensão do circuito.
 

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684446 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Enunciado 684446-1
Considere que o amplificador a transistor bipolar ilustrado anteriormente esteja polarizado na região ativa. Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
Caso ocorra um aumento de 5% no valor de RC, sem que haja grande mudança na polarização do circuito ou no parâmetro h¬fe, ocorrerá, em consequência, uma diminuição no ganho de tensão do amplificar.
 

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684445 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Enunciado 684445-1
Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que RL=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.
Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
A tensão média sobre o resistor de carga RL é menor do que 12 volts.
 

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684444 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
Enunciado 684444-1
Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que RL=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.
Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
Caso a resistência de carga seja reduzida de 100 ohms para 50 ohms, a tensão de ondulação na tensão de saída irá se reduzir à metade.
 

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684437 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
 

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684436 Ano: 2018
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: ABIN
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
 

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