Materiais porosos têm sido empregados como reatores químicos em escala nanoscópica.

A energia de uma dada superfície, com área superficial fixa, não pode ser reduzida pela adsorção de espécies.

A microscopia de ponta de prova é de grande utilidade na funcionalização de superfícies.

Os mecanismos de transporte de carga elétrica em filmes condutores finos independem da temperatura.

As propriedades de absorção e transmissão ópticas de um filme fino dependem da espessura do mesmo.

Na oxidação térmica de lâminas de silício, ocorre a difusão do silício da lâmina, através do óxido nativo, para reagir com o agente oxidante.

Os processos de CVD permitem uma excelente cobertura de degrau pelo filme depositado.

O processo de crescimento epitaxial pode ser realizado com o emprego de processos de PVD ou de deposição química em fase vapor (CVD).

O processo de crescimento epitaxial é tipicamente empregado na formação de filmes policristalinos.