O bloco lógico da figura abaixo é equivalente a qual porta lógica?

Considere um gerador assíncrono de 6 polos, operando conectado a uma rede de 60 Hz. Se ele gira a 1210 rpm, determine o escorregamento e assinale a opção correta.

Um transformador ideal com núcleo de ferro possui 1600 espiras no enrolamento primário e 400 espiras no secundário. Um resistor de 16\( \Omega \)  está conectado ao enrolamento secundário. Sabendo que a corrente no enrolamento primário ê de 2 A, determine a corrente no resistor e assinale a opção correta.

Analise a figura a seguir.

A figura acima representa um circuito básico de disparo de potência, em que utiliza-se um tiristor do tipo SCR ideal para controlar a alimentação de uma carga resistiva. O circuito ê alimentado por uma fonte continua V_cc, e a carga consiste em um resistor R_L em série com o SCR. A corrente mínima para mantê-lo conduzindo ê chamada de corrente de manutenção I_H. Durante a condução, a queda de tensão entre anodo e cátodo do SCR é O, 7 V. O SCR foi acionado e está conduzindo, mas se deseja garantir que ele desligue automaticamente após cessar o sinal de disparo, apenas reduzindo a tensão V_cc. Com base nessas informações, qual é o maior valor de V_cc que ainda permite o desligamento do SCR?

Dados: R_L = 110 \( \Omega \); I_H= 10 mA.

De acordo com a Álgebra de Boole, qual é o resultado da expressão Y =A+ A.B?

Determine o valor do ganho que corresponde a um ganho de tensão de 60 dB.

Em circuitos de controle de potência em corrente alternada (CA), componentes semicondutores como SCR, DIAC e TRIAC são amplamente utilizados. Sobre o funcionamento desses dispositivos, assinale a opção correta.

Observe o circuito abaixo.

Com base nesse circuito, calcule o valor da corrente que passa pelo valor R₃ e assinale a opção correta.

Em um sistema digital, é necessário somar dois números representados na base octal. Calcule a soma dos números 725₈ e 156₈, mantendo o resultado na base octal. Assinale a opção correta.

Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.