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Um equipamento de guerra eletrônica possui uma antena vertical de um quarto de onda e opera em 400 MHz. Assim, qual é o comprimento da antena para que ela opere adequadamente?
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Um militar desenhou o circuito de um filtro com capacitor e resistor para melhorar a recepção de uma antena, conforme a figura abaixo.

Considerando o diagrama do filtro criado, de que tipo ele seria?
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Um militar verificou os sinais de portadora e saída (sinal modulado) de um circuito em um osciloscópio apresentados abaixo.

Com base nessas informações, qual é o tipo de modulação empregada no circuito verificado?
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Considere o circuito, o trem de bits de entrada de informação e o clock abaixo apresentados.

Com base nessas informações, quais são os níveis lógicos das saídas Q3, Q2 , Q1 e Q0 , respectivamente, esperadas após a transição do 6° pulso de clock?
Dados: O flip-flop muda a saída na transição negativa do clock; e os estados iniciais de saída dos flip-flops são: Q3 = 0, Q2 = 0, Q1 = 0 e Q0 = 0.
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Considere o radioenlace operando na frequência de 100 MHz apresentado abaixo.

Com base nessas informações, calcule o raio da segunda zona de Fresnel e assinale a opção correta.
Dados: \( R_N = \left( {\large{nd_1d_2 λ \over d_1+d_2}}\right)^{1/2} \).
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Considere o circuito abaixo.

Amplificadores operacionais são dispositivos amplamente utilizados em rádios transceptores. Com base no circuito acima, determine o valor de V0 e assinale a opção correta.
Dados:Vln = 5 VAC, Vcc = 12 VDC e amplificador operacional ideal.
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Dois sinais de potências 40 dBm e 50 dBm alimentam um circuito somador. Assim, assinale a opção que apresenta a saída do circuito.

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Osciladores a cristal estão presentes em diversos circuitos de telecomunicações. Esses cristais possuem uma propriedade característica denominada de efeito:
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Para um sinal senoidal perfeito, assinale a opção correta.
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Ao analisar um diagrama esquemático de um amplificador, um militar observou o circuito apresentado abaixo.

Para o circuito em questão, determine o valor de VGS e assinale a opção correta.
Dados: Vin = 5 VAC; VDD = 12 VDC; C1 = 10 nF; iD = 1 mA; e transistor FET ideal.
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