A tensão de pico de saída de um gerador de corrente alternada é 1000V. Considerando que não há offset na saída, determine o valor RMS (eficaz) da tensão de saída desse gerador e assinale a opção correta.

Dado: !$ \sqrt{2} !$ = 1,414

Observe a figura abaixo.

Considerando o diagrama representativo, conforme a norma IEC1131-3, assinale a opção correta.

Com relação à representação de circuitos lógicos por diagramas de contatos, assinale a opção correta.

Observe a figura abaixo.

Foi medida a tensão (Volts) em função do tempo (segundos) de um resistor com um osciloscópio, e o visor do osciloscópio é mostrado na figura acima. De acordo com os dados apresentados, assinale a opção que apresenta os valores corretos da escala graduada da amplitude do sinal no osciloscópio e a frequência de oscilação da tensão, respectivamente.

Para um amplificador operacional ideal, a diferença de tensão entre as entradas é de:

Observe os circuitos lógicos I e II abaixo:

I -

II -

Assinale a opção que apresenta equivalência com as respectivas portas lógicas.

Determine o valor do módulo da reatância X_c de um capacitar de 1!$ \mu !$F quando nele é aplicada uma tensão do tipo senoidal de frequência angular !$ \omega !$ de 400rad/s e assinale a opção correta.

Considere o circuito ilustrado na sequência, composto por capacitores e diodos ideais.

Se a fonte de tensão alternada varia senoidalmente no tempo com um valor de pico igual a 10 V, qual a tensão eficaz na saída do circuito (!$ \nu_0 !$) para uma condição de operação em regime permanente (ou seja, circuito energizado há muito tempo)?

A figura da questão ilustra um circuito composto por elementos passivos ideais (resistores, indutores e capacitores), alimentados por uma fonte de tensão contínua de 30 V.

Qual a potência total dissipada no resistor de 2 !$ \Omega !$ para a condição de regime permanente de operação?

Preencha corretamente as lacunas do texto a seguir a respeito dos transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) e suas características construtivas.

Em um MOSFET tipo de canal que apresenta todos os seus terminais em aberto, a base de silício na qual o dispositivo é construído (chamada substrato) é formada por um semicondutor com dopagem tipo e o canal existente que interliga o terminal de Dreno ao terminal Fonte é formado por um semicondutor com dopagem tipo .

A sequência que preenche corretamente as lacunas do texto é