963571 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFES
Orgão: UFES

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Técnico de Eletrotécnica
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Diodo na Engenharia Eletrônica
Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
Transistores

Uma fonte CC está ligada, adequadamente, ao conjunto bobina de relé em série com um transistor bipolar de junção (TBJ) do tipo NPN. Com a corrente de base (I_B) positiva, o TBJ é ligado (conduz), a bobina é energizada e o relé é acionado. Com a I_B caindo a zero, a bobina desenvolverá uma grande tensão sobre o transistor, o que poderá destruí-lo. Para evitar isso, coloca-se um

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963570 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFES
Orgão: UFES

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Técnico de Eletrotécnica
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Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
Transistores

No circuito da figura, o transistor TBJ (transistor bipolar de junção) apresenta, na região linear, um ganho β = 140. Ao aplicar-se 5 V em V_B, o valor de V_D, em V, será

enunciado 963570-1

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963569 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFES
Orgão: UFES

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Técnico de Eletrotécnica
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Diodo na Engenharia Eletrônica
Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Ao ser conectado a uma tomada de 110V/60Hz, o valor médio da tensão de saída de um retificador a diodos de onda completa, com carga resistiva, pode ser considerado 100 V. Se for conectado um retificador a diodos de meia onda a uma tomada de 220V/50Hz, a tensão média na carga será

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963568 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFES
Orgão: UFES

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Técnico de Eletrotécnica
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Amp Op
Filtros

Aplica-se uma fonte de tensão senoidal de 120 µV na entrada não inversora de um amplificador operacional 741. Na entrada inversora, liga-se, para a terra, um resistor de 2,4 kΩ e, entre essa entrada inversora e a saída, liga-se um resistor de 240 kΩ. A tensão a ser obtida e medida no terminal de saída será

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963567 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFES
Orgão: UFES

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Técnico de Eletrotécnica
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Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
Transistores

Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN é polarizado por divisor de tensão, sendo R1 = 20 kΩ o resistor que conecta a base à tensão VCC e R2 = 1 kΩ o resistor que conecta a base ao GND (terra do circuito). Sendo Re = 100 Ω o resistor que conecta o emissor ao GND, o mínimo valor do ganho do transistor, β, que permite aplicar análise aproximada de polarização é

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961629 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

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Técnico - Eletrônica ou Eletrotécnica
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Técnico - Eletrotécnica - TC3
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Técnico de Eletrônica
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Eletrônica Analógica

Analise o circuito a seguir, considerando: C1 = C2, R1 = R2, R3 = R4 e Q1 = Q2.

enunciado 961629-1

Assinale a alternativa que relaciona a função do circuito apresentado.

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961622 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

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Técnico de Eletrônica
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Sistemas EmbarcadosMicrocontroladores

Relacione as partes do microcontrolador às respectivas funções.

1. CPU.

2. ULA.

3. Registradores.

4. Memória.

5. Barramentos.

( ) Operação entre os dados.

( ) Armazena dados de todos os tipos.

( ) Controle e processamento.

( ) Transferência de dados entre as partes.

( ) Armazena dados que serão operados.

A sequência está correta em

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961620 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

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Técnico - Eletrônica ou Eletrotécnica
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Técnico de Eletrônica
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Sistemas EmbarcadosMicrocontroladores

Microcontroladores são dispositivos que, assim como um microprocessador, fazem parte de sistemas que recebem, processam e enviam dados para controle de diversas aplicações. Com base nas características e aplicações desses dispositivos, assinale a alternativa correta.

A

São dispositivos muito utilizados em sistemas embarcados.

B

Utilizados em microcomputadores (PCs) como CPU nas mais diversas aplicações.

C

Ideal para aplicações onde o consumo de energia, custo e espaço são prioridades.

D

PIC são microcontroladores de uma mesma família fabricados pela Microship Technology que processam dados de 8, 16 e 32 bits.

E

Mais compactos que os microprocessadores, possuem memória dinâmica e barramentos de entrada de dados incorporados num mesmo chip.

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961619 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

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Técnico - Eletrônica ou Eletrotécnica
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Técnico de Eletrônica
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Eletrônica AnalógicaAmplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos
Eletrônica de Potência

O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de potência é um dispositivo amplamente usado como chave em níveis de potência, devido às suas características e vantagens. Baseado nessas características, assinale a alternativa INCORRETA.

A

Mais rápido nas comutações que o TJB, entretanto, fornece mais perdas de condução na saturação.

B

Estão disponíveis no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto, os dispositivos em canal N têm valores nominais de corrente e tensão mais altos.

C

É um transistor de chaveamento rápido, caracterizado por uma alta impedância de entrada, apropriado para potências baixas e para aplicações de alta frequência.

D

Devido à baixa resistência de porta, a corrente de controle é elevada, dificultando um controle de condução entre dreno e fonte a partir de uma tensão aplicada no terminal de porta.

E

Utilizado em aplicações importantes, tais como fontes de alimentação chaveadas, nas quais as frequências altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econômicos.

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961618 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

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Técnico - Eletrônica ou Eletrotécnica
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Técnico de Eletrônica
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Eletrônica AnalógicaAmplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos

Na eletrônica de potência existem alguns dispositivos semicondutores típicos, conhecidos por trabalharem em conjunto ou em aplicações semelhantes. Com base nesse grupo de dispositivos, assinale a alternativa INCORRETA.

A

Diac: componente bidirecional em corrente e tensão, possuindo os terminais de carga MT1 e MT2 (MT = Main Terminal), bem como o terminal de gate.

B

Diodo Shockley: semelhante ao SCR com corrente de porta zero é ligado simplesmente aumentando a tensão de polarização direta além do valor de ruptura.

C

PUT: transistor de unijunção programável, como o nome diz, tem a capacidade de controlar (programar) o potencial de disparo. Em geral, seus valores são menores que no caso dos transistores de unijunção.

D

GTO: semelhante o SCR, liga com um pulso de corrente positiva em seu gate, o qual é mantido mesmo depois de retirada a corrente de gate, desligando caso a corrente de anodo caia abaixo do valor mínimo de manutenção (IH).

E

Transistor unijunção: dispositivo semicondutor que possui uma junção PN com uma base de baixa dopagem e alta resistividade. Devido ao seu comportamento biestável, é utilizado com frequência em circuitos geradores de pulso, sincronismo, temporizadores.