Em relação a memórias RAM e barramentos, atribua V (verdadeiro) ou F (falso) às afirmativas a seguir.

( ) Os barramentos podem ser síncronos ou assíncronos.

( ) Um barramento possui linhas de endereço, controle e dados.

( ) Em um barramento, a arbitração pode ser centralizada ou distribuída.

( ) As memórias do tipo DRAM são mais rápidas que as memórias do tipo SRAM.

( ) As memórias DRAM possuem um custo de fabricação maior do que as memórias SRAM.

Assinale a alternativa que contém, de cima para baixo, a sequência correta.

Em uma SAN ( Storage Area Network), o que é fabric layer?

Considere as seguintes características:

1. Velocidade de até 4,8 GB/s.

2. Intensidade de corrente elétrica de 900 miliampères.

3. Comunicação fullduplex.

4. Modo standby.

São características do USB 3.0:

Qual é o número mínimo de discos rígidos necessários para a implementação do RAID 5?

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Leia as afirmações a seguir sobre as memórias principais.

I. Memórias SIMM possuem 30 ou 72 vias.

II. Os módulos SDR possuem dois chanfros, enquanto os DDR possuem apenas um chanfro para identificação do tipo de memória.

III. Um slot de memória DDR2 suporta módulos DDR para manter a compatibilidade.

IV. Os módulos DIMM operam, necessariamente, aos pares para trânsito de 64 bits, no barramento de dados.

Das afirmações, estão corretas

O tempo necessário para a cabeça de gravação de um disco rígido se mover de uma trilha para outra em um disco rígido denomina-se

Os dispositivos de entrada e saída comunicam-se com um computador host de diferentes modos. São modos de operação de dispositivos de entrada e saída:

Observe a figura a seguir contendo os conectores de barramentos AGP.

Disponível em: <http://en.wikipedia.org/wiki/File:AGP_%26_AGP_Pro_Keying.svg>. Acesso em: 02 fev. 2015.[Adaptada]

Os conectores A e D operam com tensão de

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