4059664
Ano: 2026
Disciplina: Engenharia de Telecomunicações
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS
Disciplina: Engenharia de Telecomunicações
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Em um amplificador com transistor NPN com ganho de
corrente β = 1000 e VBE = 0,7 V, a alimentação é V+ = 12 V,
e os componentes valem R1 = 100 kΩ, R2 = 20 kΩ, RC = 2 kΩ e
RE = 1 kΩ. Para análise em CA (pequeno sinal), Cin, Cout e CE são
suficientemente grandes para se comportarem como
curto-circuito na faixa de frequências de interesse, quando
aplicável.
A partir dessas informações e da figura precedente, que ilustra o amplificador descrito, julgue o item seguinte.
Por se tratar de um amplificador com transistor bipolar em configuração de emissor comum, o ganho de tensão com ou sem carga apresenta inversão de fase entre entrada e saída e pode ser aproximado por Av ≈ −gmRC, em que a transcondutância do transistor é definida por gm = IC/VT, sendo VT a tensão térmica e IC, a corrente de coletor estabelecida no ponto de polarização do transistor.
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