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- Gerenciamento de RedesAdministração de Rede Windows
- Protocolos e ServiçosConfiguração de RedeDHCP: Dynamic Host Configuration Protocol
- TCP/IPIPv4
No Windows qual o comando que libera o endereço ip da interface especificada?
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O aglutinamento (Clustering) de duas ou mais etapas de processo em um único equipamento automatizado é uma tendência para a fabricação de semicondutores. O clustering de processos proporciona, entre outros benefícios, permitir que
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Considere a operação do software Virtuoso Schematic Composer a partir da visualização de uma célula padrão de alto nível. Para se visualizarem os níveis mais baixos da hierarquia do esquemático, o usuário deve selecionar as opções:
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Os filmes finos utilizados na fabricação dos Circuitos Integrados devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. Dessa forma, as limpezas químicas em microeletrônica exercem um papel muito importante, pois permitem
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A Instrução Normativa nº 20/2007 do INSS dispensa o Laudo Técnico das Condições de Ambiente do Trabalho (LTCAT) e diz que o Programa de Prevenção de Riscos Ambientais (PPRA) é suficiente para embasar a emissão do Perfil Profissiográfico Previdenciário. Para efeitos de obrigatoriedade de apresentação do laudo técnico para a empresa em outras situações, junto ao INSS ou ao Ministério do Trabalho, pode-se dizer que
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Os microscópios eletrônicos têm seu funcionamento baseado na emissão de um feixe de elétrons sobre a amostra analisada. Com relação ao canhão de elétrons, é CORRETO afirmar que
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Qual o prazo máximo para impugnação de um edital, por parte de qualquer cidadão, nos termos da Lei n. 8666/93?
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A Secretaria de Políticas da Previdência Social informou que, no ano de 2010, foram concedidos cerca de 680 mil benefícios decorrentes de acidentes de trabalho e doenças ocupacionais no Brasil. O Ministério da Previdência Social através do PRP – Programa de Reabilitação Profissional tem como objetivo
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Em uma junção PN, existe o aparecimento de uma barreira de potencial ao longo da região de contato dos materiais tipo P e tipo N. Sobre esta região, analise as asserções a seguir:
I) Esta barreira de potencial surge devido à diferença de potencial entre os íons da camada de depleção.
II) Para que se tenha corrente fluindo em uma junção PN, é necessária a aplicação de um campo elétrico de forma que a diferença de potencial entre os dois materiais seja maior que a barreira de potencial.
III) Para junções PN construídas a partir de silício, a barreira de potencial é de aproximadamente 0,3 V, a 25°C.
Estão corretas as asserções:
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Um transistor de potência, para o qual a temperatura máxima da junção TJmáx = 150 ºC, é capaz de dissipar 50 W à temperatura de 50 ºC. Considerando que o transistor foi conectado a um dissipador de calor usando uma arruela com resistência térmica igual a 0,5 ºC/W, a temperatura no dissipador necessária para assegurar a operação segura a 30 W e o comprimento do dissipador são, respectivamente, iguais a: (considere a resistência térmica do ar ambiente em repouso igual a 4 °C/W e a temperatura ambiente igual a 15 °C)
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