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Uma junção PN é a criação de 2 (duas) regiões, uma de semicondutor tipo P e outra de semicondutor tipo N, em contato direto. Normalmente, é criada através da dopagem controlada de uma região tipo P, criando uma região tipo N, ou viceversa. Com relação a uma junção PN não submetida a campo elétrico, analise as seguintes sentenças:
I) Devido às características dos materiais, surge uma região preenchida por íons chamada de camada de depleção.
II) Em uma junção PN, elétrons livres, que são portadores majoritários do material tipo N, difundem-se através da junção, criando íons positivos no material tipo N e íons negativos no material tipo P.
Assinale a opção correta:
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Considere um retificador de pico alimentado por uma senoide de 60 Hz tendo um valor de pico Vp = 300 V. Suponha uma resistência de carga R = 200 kΩ. O valor da capacitância C que resultará em uma ondulação de pico a pico de 1 V é o seguinte: (utilize a aproximação: e-1/α ~ 1 – 1/α, onde α é um coeficiente qualquer, e !$ \mathrm{\,\underline\,{"e"}\,} !$ é a base dos logaritmos neperianos)
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50 kg de silício policristalino de grau eletrônico é colocado no cadinho de um sistema de crescimento Czochralsky. A massa molar do silício é 28,09 g/mol e a massa molar do boro é 10,81 g/mol. O coeficiente de segregação do boro na interface entre o silício fundido e o sólido é 0,8.
A relação entre resistividade e concentração de impurezas está mostrada na figura abaixo.
Avalie quanto boro é necessário adicionar ao cadinho de maneira a puxar um cristal com resistividade de 1 ohm.cm.
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A Curva da Banheira (Bathtube Curve) é utilizada para descrever o taxa de falhas (failure rate) de circuitos integrados. Essa curva é composta por três regiões denominadas:
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Assinale a alternativa que representa um dos motivos que autorizam a rescisão do contrato administrativo, na forma da Lei n. 8666/93.
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O conjunto de normas que rege o cerimonial e cujo objetivo é dar a cada um dos participantes, quer seja Estado, instituição ou pessoa, as prerrogativas, os privilégios e as imunidades a que têm direito denomina-se:
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Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?
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A respeito dos conceitos aplicados em manutenção, relacione a coluna da direita com a coluna da esquerda.
A combinação entre as duas colunas apresenta a seguinte sequência:
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Durante a fabricação de semicondutores, uma fina camada metálica (20-100 nm) pode ser depositada sobre o substrato, através da técnica de evaporação térmica. Essa camada metálica é, geralmente, constituída de Cr/Au. Dessa forma, a função da camada de cromo é a de
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Qual é a técnica de limpeza tipicamente utilizada após o corte de lâminas de silício?
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