Em um AOP com slew rate de 0,5 V/µs alimentado com sinal senoidal de 10 V pico, a frequência máxima sem distorção será de aproximadamente

Um amplificador operacional real possui ganho finito A = 10⁵. Em configuração inversora com realimentação R_f/R_IN = 10, qual será o ganho real aproximado?

O IGBT é amplamente utilizado em aplicações de média e alta potência devido à sua baixa perda em condução e facilidade de acionamento. Entretanto, comparado ao MOSFET, o IGBT apresenta

Um MOSFET canal-n apresenta V_T = 3V. Para V_GS = 5V, determine a condição para operação em saturação e assinale a alternativa correta.

Considere um transistor NPN operando na região ativa direta. Sabe-se que o modelo simplificado em regime DC estabelece:

1_E = 1_C + 1_B  

Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1_B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.

A discretização de um controlador PID pelo método de Tustin preserva características de estabilidade ao mapear o plano-s no plano-z via:

                                                                                            

\( s = \dfrac{2}{T} \dfrac{z - 1}{z + 1} \)

Essa transformação

Sabendo que um conversor CC-CC do tipo Buck opera em regime contínuo com V_in = 48 V e deseja-se V_o = 12V, o ciclo de trabalho necessário é

Considere um sistema linear invariante no tempo com função de transferência em malha aberta G (s) e realimentação unitária. A função de transferência em malha fechada é:

\( T(s) = \dfrac{G(s)}{1 + G(s)} \)

Se G(s) = \(\dfrac{10}{s(s+2)}\) , é correto afirmar que

O modelo quadrático do MOSFET de canal n no regime de saturação, desprezando-se efeito de modulação do comprimento de canal, é:
                                                                                  

\( I_D = \dfrac{1}{2} k_n(V_{GS} - V_T)^2 \)

Considere um MOSFET com k_n =0,4A/V², V_T =2V, operando com V_GS = 6V.  
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será

A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:

\( I_D = I_S \left( e^{\dfrac{V_D}{n V_T}} - 1 \right) \)

Sabe-se que I_S é a corrente de saturação reversa, \(V_T = \dfrac{kT}{q}\) é a tensão térmica e n é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com I_S = 10^-12 A, n = 1, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será