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Um guia de onda de seção transversal retangular deve transmitiro modo TE10 na frequência de 10 GHz. As dimensões do guia sãotais que λ/λg = 0,5 para esse modo.
Para atender essas características, a largura deste guia deve ser deaproximadamente
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Em uma memória com capacidade de armazenamento de 64 k
células, onde cada célula pode armazenar 1 byte de informação e
cada caractere é codificado em 8 bits, resolveu-se armazenar um
conjunto de caracteres do seguinte modo: a partir do endereço
hexadecimal 4AF9, foram escritos sucessivamente grupos de 128
caracteres iguais, iniciando pelo grupo de As, seguido do grupo de
Bs, e assim por diante.
O endereço inicial do grupo dos Ks, nesta memória, é
O endereço inicial do grupo dos Ks, nesta memória, é
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No circuito abaixo, os flip-flop utilizados têm as seguintes
características: hold time = 5 ns; set-up time = 4 ns e delay gate =
10 ns.
Analisando o circuito e tendo em consideração suas características pode-se concluir que a frequência máxima para que esse circuito funcione corretamente é de aproximadamente
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No amplificador logarítmico do circuito abaixo, foi utilizado um
resistor R1=10Ω.
Considerando ln 2 ≈ 0,7 e sabendo que V0=log2 Vi, o valor aproximado de R2 é
Considerando ln 2 ≈ 0,7 e sabendo que V0=log2 Vi, o valor aproximado de R2 é
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No circuito abaixo, as características do XTAL são: f0= 1,2 MHz e rs=
50Ω.
Sabendo que L= 2,4 μH; C= 820 pF; R1=100 kΩ e R2=50 kΩ, a frequência possível de oscilação desse circuito é de aproximadamente
Sabendo que L= 2,4 μH; C= 820 pF; R1=100 kΩ e R2=50 kΩ, a frequência possível de oscilação desse circuito é de aproximadamente
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Considere o circuito a seguir:
Sabendo que o oscilador do circuito opera em 80 MHz e dado que C1= 5pF, C2= 20pF, C3= 33pF, L= 0,1 μH e Q1: Cgs= 2,5pF±20%, a capacitância de Cadj para o Cgs no valor nominal é de aproximadamente
Sabendo que o oscilador do circuito opera em 80 MHz e dado que C1= 5pF, C2= 20pF, C3= 33pF, L= 0,1 μH e Q1: Cgs= 2,5pF±20%, a capacitância de Cadj para o Cgs no valor nominal é de aproximadamente
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Um transistor NMOS tipo enriquecimento com Vt = 0,7 V, conduz
uma corrente iD igual a 100 μA, quando VGS = VDS = 1,2 V.
A corrente iD quando VGS = 1,5 V e VDS = 3 V será de
A corrente iD quando VGS = 1,5 V e VDS = 3 V será de
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Considere o circuito a seguir:
A fonte de corrente do circuito equivalente de Norton para a carga de 70 kΩ é de aproximadamente
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As ligas ferromagnéticas são construídas para melhorar alguma
propriedade do ferro.
A liga que apresenta maior permeabilidade para baixa intensidade de campo magnético, usada principalmente em telecomunicações e na fabricação de núcleos de transformadores de rádio frequência (RF), relés, bobinas e blindagens magnéticas, é a
A liga que apresenta maior permeabilidade para baixa intensidade de campo magnético, usada principalmente em telecomunicações e na fabricação de núcleos de transformadores de rádio frequência (RF), relés, bobinas e blindagens magnéticas, é a
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Para medir a permissividade dielétrica de materiais, um
engenheiro montou um capacitor isolado que, quando aplicado
uma carga Q e usando o ar como dielétrico, mede-se uma
diferença de potencial (ddp) de 20 V. Nos experimentos, o
engenheiro introduz o material dielétrico que deseja medir em
substituição ao ar, e mede novamente a ddp.
Em certo teste, encontrou 4 V e concluiu que a permissividade dielétrica do material testado vale aproximadamente (Dado: permissividade do vácuo = 8,85 x 10-12 F/m)
Em certo teste, encontrou 4 V e concluiu que a permissividade dielétrica do material testado vale aproximadamente (Dado: permissividade do vácuo = 8,85 x 10-12 F/m)
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