Foram encontradas 21.173 questões.
Respondida
A respeito do funcionamento de transistores bipolares de junção (TBJs) e transistores de efeito de campo (FETs), é correto afirmar que:
Respondida
Um
dado
sistema
regulador
possui
a
seguinte
característica:
\( \dfrac{Y\left(s\right)}{U\left(s\right)}=\dfrac{5}{\left(s+1\right).\left(s+2\right).\left(s+4\right)} \)
Definindo-se
as
variáveis
de
estado\( x_1=y, \)
\( x_2= \dot x_1 \)
e
\( x_3= \dot x_2 \),
assinale
a
opção
que
apresenta
o
vetor
de
ganhos
K
do
controlador
de
realimentação
de
estado
\( u=-K.x \)
que
aloca
os
pólos
de
malha
fechada
em
\( S_1=-1+j\dfrac{\sqrt{2}}{2},\ S_2=-1-j\dfrac{\sqrt{2}}{2},S_3=10. \)
Respondida
Considere o circuito abaixo.
Dados:
RA = 5 \( k \Omega \);
RB = 10\( k \Omega \); e
RL = 2 \( k \Omega \) .
Determine o ganho de potência em dB e assinale a opção correta,
Respondida
Analise o capacitor C e o gráfico da sua tensão \( v(t) \) em Volts.
Considerando o intervalo de tempo do gráfico, assinale a opção que apresenta, respectivamente, o maior valor absoluto da corrente \( i(t) \) e o maior valor de energia armazenada no capacitor.
Respondida
Considere o circuito abaixo, que contém um amplificador operacional ideal.
Assinale a opção que apresenta a função de transferência H(s) = Eo(s)/E\( i \)(s).
Dados:
R1 = 10 k\( \Omega \);
R2 = 100 k\( \Omega \),e
C = 100 \( \mu \)F.
Respondida
Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de
Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n
tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa
essencial. Para obter a saturação como modo de operação,
é comum garantir a formação do canal n e fazer a
interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração
é amplamente utilizada para projeto de espelhos de
corrente. Nessa configuração, os terminais curtoscircuitados são
Respondida
O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor
(MOSFET) tipo enriquecimento de canal n é um transistor
de quatro terminais, sendo eles: porta (G), dreno (D), fonte
(S) e corpo (B). Na maioria das aplicações, o terminal do
corpo (B) é interconectado ao terminal da fonte (S),
reduzindo o número de terminais para três. Nessa
configuração, as tensões de Corrente Contínua (DC) dos
terminais de porta (VG), dreno (VD) e fonte (VS) determinam
o ponto de polarização do dispositivo. Além disso, a análise
do ponto de operação leva em consideração a tensão de
limiar (Vt). A diferença de potencial entre dois terminais,
como por exemplo entre os terminais D e S, utiliza a notação
VDS. Para operação como amplificador de sinais, o MOSFET
é colocado na região de operação conhecida como
saturação. Nessa região de operação
Respondida
Em um Circuito Integrado (CI) podem ser encontradas
milhares de portas lógicas construídas sobre um material
semicondutor, como por exemplo, o silício. A escala de
integração e consequentemente a dimensão física do CI
depende da tecnologia (Lógica Transistor-Transistor (TTL)
ou Semicondutor Complementar de Óxido Metálico
(CMOS)) e dos dispositivos (Transistor Bipolar de Junção
(TBJ) ou Transistor de Efeito de Campo (FET)) utilizados na
construção do CI. Os CIs serão menores e comportarão
maior número de portas lógicas, à medida que for
intensificado o uso de dispositivos do tipo
Respondida
Durante o processo de análise de circuitos combinacionais
para construção de um circuito lógico físico, a etapa de
simplificação de expressões lógicas é muito importante, pois
essa simplificação tem o potencial de reduzir a
complexidade do circuito e o número de elementos
utilizados. Um método sistemático para simplificar
expressões booleanas é conhecido como
Respondida
Os teoremas da álgebra booleana são fundamentais para
guiar o projetista de sistemas lógicos no desenvolvimento,
análise e simplificação de circuitos. Assumindo X, Y e Z
como variáveis lógicas, em que Y é a saída de uma porta
lógica NOT com entrada X, um teorema válido da álgebra
booleana é
