No circuito com amplificador operacional ideal representado na figura abaixo, vi1 é a entrada de sinal 1, vi2 é a entrada de sinal 2, vi3 é a entrada de sinal 3 e vo é a saída do circuito. O amplificador operacional é alimentado por uma fonte simétrica NÃO MOSTRADA NO CIRCUITO com tensão positiva +V_CC = +9V e negativa -V_CC = -9V, sendo que as tensões de saturação positiva +V_SAT e negativa -V_SAT correspondem às tensões de alimentação, respectivamente.

Considerando vi1 = -2V, vi2 = 4V e vi3 = 0,2V, a tensão vo na saída do circuito é igual a:

Para o amplificador diferencial discreto na figura a seguir:

Considerando α = 1, V_CEsat = 0 e V_BE = 0,7V, o valor aproximado da tensão no coletor do transistor Q1 (Vo1), os valores aproximados das tensões nos emissores dos transistores Q1 e Q2 (Ve1 e Ve2) e o valor aproximado da corrente no resistor R3 (IR3) são:

Para o amplificador transistorizado com transistor MOSFET na figura a seguir:

Considerando V_tn = 1V, k_n’(W/L) = 2 mA/V² , que o efeito da modulação de comprimento do canal seja nulo, o valor da tensão entre dreno e fonte V_DS e o valor da corrente de dreno I_D são:

Para o amplificador transistorizado com transistor bipolar de junção na figura a seguir:

Considerando o β =20, V_BE = 0,7V e V_CEsat = 200mV empregando a análise exata, isto é, sem desprezar a corrente de base, o valor aproximado da corrente de coletor I_C e o valor aproximado da tensão entre coletor e emissor V_CE são:

Em relação ao funcionamento do transistor bipolar de junção (BJT), analise as afirmativas identificando com ”V” as VERDADEIRAS e com “F” as FALSAS assinalando a seguir a alternativa CORRETA, na sequência de cima para baixo:

( ) Em um transistor bipolar, estando a junção emissor-base diretamente polarizada e a junção coletor-base está reversamente polarizada, verificamos que a corrente de emissor I_E é igual a soma da corrente de coletor I_C com a corrente de base I_B.

( ) Em um transistor bipolar na configuração base-comum, na região de corte a corrente de emissor I_E é igual a zero, sendo que a corrente de coletor deve-se exclusivamente à corrente de saturação reversa I_CBO.

( ) No modo de operação CC do transistor bipolar, os valores da corrente de coletor I_C e da corrente de emissor I_E estão relacionados por uma quantidade chamada alfa (α) que é definida por α = I_E/I_C.

( ) No modo CC de operação do transistor bipolar, os valores da corrente de coletor I_C e da corrente de base I_B estão relacionados por uma quantidade chamada beta (β) que é definida como β = I_C/I_B.

( ) Em um transistor bipolar na configuração emissor-comum, na região de corte a corrente de emissor I_E é igual a zero, sendo que a corrente de base deve-se exclusivamente à corrente de saturação reversa I_CBO.

A figura (a) a seguir apresenta um circuito com diodo semicondutor ideal que possui um resistor R e uma fonte de corrente contínua com tensão V volt, sendo que na entrada vi do circuito é aplicada uma forma de onda senoidal cujo valor de pico é Vm volts.

Figura a

E considerando as formas de onda a seguir:

Forma de onda 1

Forma de onda 2

Forma de onda 3

Forma de onda 4

Forma de onda 5

A forma de onda CORRETA na saída v_o do circuito é a:

Em relação aos efeitos da temperatura para o diodo semicondutor, são feitas as seguintes afirmações:

I. Na região de polarização direta, a curva característica de um diodo de silício desvia-se para a esquerda a uma taxa de 2,5mV/°C.

II. Na região de polarização reversa, a corrente de um diodo de silício dobra a cada elevação de 20°C na temperatura.

III. A tensão de ruptura reversa de um diodo semicondutor pode aumentar ou diminuir em função da temperatura.

Assinale a alternativa em que toda(s) a(s) afirmativa(s) está(ão) CORRETA(S):

Em relação às afirmações sobre os materiais tipo p e n utilizados na fabricação dos semicondutores:

I. Os semicondutores tipo p e n são obtidos a partir do silício intrínseco com a adição de impurezas, sendo que o silício tipo n é obtido a partir da adição de um dopante pentavalente, tornando o material eletricamente negativo enquanto que o silício tipo p é obtido pela adição de um dopante trivalente, tornando o material eletricamente positivo.

II. Em relação aos portadores majoritários e minoritários, em um material tipo n o número de lacunas não se altera significativamente a partir do nível intrínseco, ao passo que em material tipo p, o número de lacunas é muito maior que o número de elétrons.

III. A adição de impurezas afeta a condutividade relativa devido aos elétrons livres no semicondutor tipo n e das lacunas no semicondutor tipo p, sendo que isso pode ser explicado pelo critério das bandas de energia, onde verifica-se que há a diminuição da banda proibida em ambos os casos.

Assinale a alternativa em que toda(s) a(s) afirmativa(s) está(ão) CORRETA(S):

Durante o estudo e projeto de um filtro ou amplificador são empregadas várias ferramentas de análise e representação gráfica da resposta do filtro. Uma dessas técnicas é conhecida como Diagrama de Bode, onde são representados:

Os sistemas de telecomunicações empregam filtros seletivos em frequência para a redução de ruído e equalização de sinais. Estes filtros são sistemas