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Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes controlados por corrente
que podem operar em diferentes regiões (ou modos de condução), dependendo diretamente do estado
de polarização (direta ou reversa) de suas duas junções internas: a Junção Base-Emissor (JBE) e a
Junção Base-Coletor (JBC). Considerando o diagrama simbólico apresentado na Figura 5 abaixo e os
conceitos fundamentais sobre o transistor do tipo PNP, assinale a alternativa correta.


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Um microcontrolador RISC executa uma rotina com 120.000 instruções. Seu CPI médio é:
CPI = 1,2
Clock: 48 MHz.
Tendo isso em vista, o tempo de execução será de
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Um diodo de silício opera com fator de idealidade η = 2 e tensão térmica VT
= 25 mV. Sabe-se que, para uma corrente direta de
I₁ = 1 mA, a tensão de junção assume um valor de referência VD1. Ao aumentar a corrente para I₂ = 100 mA, a variação de tensão
na junção ΔVD = VD2 − VD1 pode ser definida aproximadamente por:
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Considere o arranjo amplificador apresentado na figura a seguir ajustado através dos seguintes parâmetros.
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
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- Análise de Circuitos
- Eletrônica Analógica
- Gráficos em Análise de Circuitos em Eletrônica
- Transistores
Considere o seguinte circuito de polarização pela base composto por um transistor NPN com VBB = VCC = 15V, um resistor de
base RB
= 500kΩ, resistor de coletor RC
= 3kΩ e adotando o modelo ideal do transistor (queda de tensão nula entre base e emissor).
Sabendo que o arranjo exibe a reta de carga da imagem, é correto afirmar que os valores de ganho βCC associados respectivamente aos pontos de operação A, B e C valem, respectivamente:
Sabendo que o arranjo exibe a reta de carga da imagem, é correto afirmar que os valores de ganho βCC associados respectivamente aos pontos de operação A, B e C valem, respectivamente:
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Considere o seguinte circuito de polarização por divisor de tensão baseado no transistor bipolar de junção do tipo PNP e
alimentado por uma fonte de tensão VCC = −10 V. Os demais parâmetros do circuito são: R₁ = 10 kΩ, R₂ = 2,2 kΩ, RC = 5 kΩ e
RE
= 1,1 kΩ.
Adotando VBE = 0,7 V e desprezando a corrente de base (βCC >> 1), o valor da tensão emissor-coletor VEC do transistor é definida aproximadamente por:
Adotando VBE = 0,7 V e desprezando a corrente de base (βCC >> 1), o valor da tensão emissor-coletor VEC do transistor é definida aproximadamente por:
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Um regulador de tensão Zener é projetado para alimentar um sistema lógico digital com tensão de referência de 5,1 V. A tensão
de entrada do arranjo não regulada pode variar de 12 V a 24 V, enquanto a corrente demandada pela carga pode variar de 10 mA
a 40 mA.
Considerando que o regulador deve operar de forma adequada em todas as condições de operação possíveis, o valor máximo projetado para o “casamento” da resistência série RS , o qual garante que o sistema não saia da faixa de regulação em nenhuma condição, é de aproximadamente:
Considerando que o regulador deve operar de forma adequada em todas as condições de operação possíveis, o valor máximo projetado para o “casamento” da resistência série RS , o qual garante que o sistema não saia da faixa de regulação em nenhuma condição, é de aproximadamente:
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Considere o seguinte arranjo para conversão CC-CC funcionando em modo de condução contínua.
Para que seja obtido uma tensão, na carga R, de – 24 V (Vo= – 24V) a partir do valor de entrada Vs = 12 V e da potência, na carga R, de 40 W, o ciclo de trabalho (Duty - Cycle - D) na chave S deve ser de aproximadamente:
Para que seja obtido uma tensão, na carga R, de – 24 V (Vo= – 24V) a partir do valor de entrada Vs = 12 V e da potência, na carga R, de 40 W, o ciclo de trabalho (Duty - Cycle - D) na chave S deve ser de aproximadamente:
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A imagem a seguir apresenta um retificador controlado que está conectado a uma impedância RL em série com uma fonte
de tensão CC. Da mesma forma que ocorre em uma aplicação fotovoltáica, é possível controlar o fluxo de potência de maneira
que o mesmo se dá da fonte para carga, classificando assim o arranjo como um “inversor”. Nesta “inversão” de funcionamento do
conversor, a potência é fornecida pela fonte CC e a potência absorvida pela ponte é transferida para o sistema CA. Para isto, o
ângulo de atraso deve ser maior que 90° (90° <α< 180°) e a tensão Vcc deve ser negativa resultando em uma tensão VO, na saída
da ponte, também negativa.
Para um arranjo de retificador controlado no modo “inversor”, considere um “módulo de células solares” de 110V (Vcc= – 110V) capaz de fornecer até 1.000 W de potência. Sabendo que a fonte C.A possui um valor eficaz de Vs=120∠ 0° V, em que R = 0,5 Ohms e L é elevado o sufi ciente para garantir que a corrente do arranjo seja CC (modo de condução contínua) e considerando os SCR’s como ideais, o ângulo de atraso α necessário para garantir o fornecimento da potência dos painéis solares é de:
Para um arranjo de retificador controlado no modo “inversor”, considere um “módulo de células solares” de 110V (Vcc= – 110V) capaz de fornecer até 1.000 W de potência. Sabendo que a fonte C.A possui um valor eficaz de Vs=120∠ 0° V, em que R = 0,5 Ohms e L é elevado o sufi ciente para garantir que a corrente do arranjo seja CC (modo de condução contínua) e considerando os SCR’s como ideais, o ângulo de atraso α necessário para garantir o fornecimento da potência dos painéis solares é de:
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Para que ocorra a manutenção de um equipamento
eletrônico, necessita-se substituir um diodo presente em um
circuito retificador que opera em frequência da ordem de 300
MHz. Ao analisar o componente original, verifica-se que o
mesmo possui uma queda de tensão direta de aproximadamente
0,25 V e que sua construção utiliza uma junção entre um
metal e um cristal de silício dopado tipo n — característica
que elimina a formação de cargas armazenadas na junção
e, consequentemente, o tempo de recuperação reversa do
dispositivo. O diodo que atende às características descritas está
corretamente indicado na alternativa:
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