Observe o circuito abaixo.

Determine o valor aproximado da corrente de saturação no Dreno !$ (I_{D(SAT)}) !$ e a região em que o circuito acima está polarizado, respectivamente, quando a tensão na porta for alta e assinale a opção correta.

Dados:

V_GS(lig) = 2,5 V

I_D(lig) = 100 m A

R_DS(lig)=10 !$ Ω !$

Analise o circuito abaixo.

Assinale a opção que identifica corretamente o tipo de circuito acima apresentado e a tensão indicada no voltímetro V, respectivamente.

Converta o número decimal 325₁₀ no sistema de numeração binário e assinale a opção correta.

Observe o circuito abaixo.

Determine o valor da tensão coletor-emissor (VCE) do transistor de silício do circuito acima e assinale a opção correta.

Dado: !$ \alpha ≈ 1 !$ tensão base-emissor (VBE) !$ ≈ !$ 0,7 V

Converta o número 324₁₀ para o sistema de numeração hexadecimal e assinale a opção correta.

Assinale a opção que apresenta um tipo de memória volátil.

Considere o circuito e a sua situação inicial apresentada na tabela abaixo.

No circuito e situação inicial acima, ES e CLR são mantidos constantes no nível lógico "1" e S em nível lógico "0". Sendo assim, determine a nova situação de saída, Q3 Q2 Q1 Q0, no caso do pulso de clock (CK) aplicado ao circuito possuir duas transições (bordas de descida) negativas, e assinale a opção correta.

Que valor de tensão existe em um diodo de silício polarizado, diretamente, quando analisado com a aproximação de um diodo ideal?

No diodo, a corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente

Analise o circuito abaixo.

Com relação ao circuito acima, qual a corrente indicada no amperímetro A?