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Considere VBE = 0,7V. É CORRETO afirmar que a tensão VCE está no intervalo de:
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Um dispositivo bastante utilizado na eletrônica, em etapas de circuitos de baixa potência, é o transistor de unijunção. Em relação às aplicações deste semicondutor marque a alternativa incorreta.
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Em um instrumento de medida digital, a resolução está associada à quantidade de dígitos, e a precisão está associada à confiabilidade da medição. Mas, em um processo a precisão está associda:
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Qual das alternativas apresenta a denominação correta da linha de instrumentação que a figura abaixo representa em um P&ID, segundo as normas ISA?
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Diferentemente dos TJB, os transistores de efeito de campo não possuem ganho de corrente, sendo a curva de transcondutância o fator que determina a capacidade de geração de corrente de saída ou corrente de dreno – ID –, determinada pela equação de Schokley, que relaciona a ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática, dada pela expressão !$ I_D = I_{DSS}. \left ( 1- { \large V_{GS} \over V_{GS} -CORTE} \right )^2 !$
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Dois sinais elétricos, no formato de pulsos limitados no tempo, são representados, nas figuras abaixo, com a transformada de Fourier de s(t), na forma polar, dada pela expressão S(ω)=|S(ω)|ejφ(ω).
Considerando as propriedades da transformada de Fourier e as semelhanças e simetrias entre os dois pulsos, a expressão da transformada de Fourier de z(t) é
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Considerando que na arquitetura de um circuito integrado TTL 7404 temos quatorze pinos, em que dois deles são reservados para o Vcc e GND, é correto afirmar que os outros doze pinos são utilizados para entradas e saídas de
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Na equação X = (3FF – 3458) + 101010112, o valor de x é
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O circuito, a seguir, é uma fonte de alimentação regulada que apresentou defeito após uma descarga elétrica. De acordo com o osciloscópio, verificou-se o seguinte sinal:
O sinal demonstrado na tela do osciloscópio indica que o(s) diodo(s)
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O TJB de alta potência apresenta alguns fatores desfavoráveis, como a baixa capacidade de ganho de corrente, tornando-se necessário, para superar esse inconveniente, o desenvolvimento e a fabricação da estrutura darlington aplicada aos TJB, que possui dois transistores em um único encapsulamento e produz efeito multiplicação dos fatores de ganho de corrente (βcc), de modo que, dessa maneira, o ganho de corrente final do componente é dado por β1xβ2.
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