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Analise o conversor D/A da figura, onde as entradas A, B, C e D são representadas na equação por VA, VB, VC e VD, respectivamente.

Marque a opção que corresponde à tensão na saída desse conversor.
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Os blocos A e B representam circuitos eletrônicos. Ao aplicar na entrada do A o sinal X, verifica-se, em sua saída, o sinal Y. Ao aplicar na entrada de B o sinal Z, verifica-se, em sua saída, o sinal W.

Com base nas informações acima, assinale a alternativa que preenche correta e respectivamente as lacunas abaixo. O circuito A é um e o B é um .
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No circuito abaixo, determine o valor de !$ V_{DS} !$ , sabendo-se que !$ I_{DQ} !$ = 1,8 mA. Em seguida, assinale a alternativa correta.

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Analise a figura abaixo e determine o valor da resistência do diodo para uma !$ I_D = 14 mA !$. Assinale a alternativa correta.

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Sobre o gráfico apresentado, analise as afirmações a seguir.

| I | Trata-se da curva característica do transístor, um dispositivo semicondutor de três camadas que consiste em duas camadas tipo n e uma tipo p, ou duas tipo p e uma tipo n. |
| II | O gráfico corresponde a um componente que possui a particularidade de trabalhar reversamente polarizado em circuitos elétricos. |
| III | Do lado esquerdo do gráfico existe a região de ruptura, onde, em situações ideais, a tensão é praticamente constante. |
| IV | O gráfico representa a curva do capacitor, um dispositivo semicondutor de duas camadas: o material tipo n é chamado anodo e o terminal tipo é chamado catodo. |
Estão corretas apenas as afirmativas
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Analise o circuito abaixo e assinale a alternativa correta.

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É considerado um componente eletrônico ativo:
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Funções lógicas com um pequeno número de variáveis podem ser simplificadas utilizando o método do mapa de Karnaugh. Considere o seguinte mapa de Karnaugh, com quatro variáveis:

É CORRETO afirmar que a função lógica obtida por esse mapa é:
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Um capacitor de 1,5 !$ \mu !$F é ligado em paralelo com um indutor de 2 mH, com uma tensão aplicada de 220 V. A frequência de ressonância aproximada do circuito é
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O IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor – é um componente eletrônico que foi construído pelo modelo híbrido entre o TJB e o Retificador Controlado de Silício (SCR), conciliando, assim, as vantagens de ambos os componentes e sendo empregado com eficiência em diversos equipamentos eletrônicos de controle de potência.
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