Quanto aos conceitos de junções PN utilizadas como fotocélulas, assinale a opção correta.

No que se refere a fotodetetores, assinale a opção correta.

Tomando-se 4 × 10^-15 eV.s como valor aproximado para a constante de Planck e considerando que os comprimentos de onda de luz visível se estendem entre 400 nm e 800 nm, é correto afirmar que um material conveniente para um detector intrínseco de luz deve ter gap máximo de aproximadamente

Acerca das características ópticas dos materiais semicondutores, assinale a opção correta.

Assinale a opção correta a respeito de LEDs e de diodos laser, que são fontes de luz com aspectos comuns e diferenças importantes.

Figura para a questão.

A figura acima mostra a curva corrente versus tensão típica para um MOSFET canal N, que tem tensão de limiar V_T estimada em 1 V. Nessa figura, a linha tracejada divide a curva característica do transistor em duas regiões, indicadas por R1 e R2

A respeito das características das regiões indicadas por R1 e R2 na figura, assinale a opção correta.

Figura para a questão.

A figura acima mostra a curva corrente versus tensão típica para um MOSFET canal N, que tem tensão de limiar V_T estimada em 1 V. Nessa figura, a linha tracejada divide a curva característica do transistor em duas regiões, indicadas por R1 e R2

A tecnologia de fabricação usada no transistor MOSFET com características mostradas na figura permite fabricar um transistor com o dobro da corrente de dreno para os mesmos valores de tensões V_DS e V_GS. Nesse caso, esse transistor deve ter

Figura para a questão.

A figura acima mostra a curva corrente versus tensão típica para um MOSFET canal N, que tem tensão de limiar V_T estimada em 1 V. Nessa figura, a linha tracejada divide a curva característica do transistor em duas regiões, indicadas por R1 e R2.

A transcondutância do transistor MOSFET apresentado na figura é aproximadamente igual a

O transistor bipolar de junção (BJT) marca o início da miniaturização dos circuitos eletrônicos, abrindo o caminho para a produção de múltiplas funcionalidades em uma única pastilha de material semicondutor. Quanto a esse dispositivo, assinale a opção correta.

Figura para a questão.

A figura acima mostra esquematicamente as bandas de energia de uma junção PN abrupta monodimensional em equilíbrio térmico. A separação abrupta entre N e P ocorre no ponto x = 0 indicado na figura.

Acerca dos diversos componentes da corrente elétrica na junção PN ilustrada na figura, assinale a opção correta.