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Foram encontradas 21.173 questões.

3270438 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-MT
Orgão: IF-MT

Considerando a função: \( Y=(A . B)+(\overline{(A.C)}.(\overline{B})) \) o circuito combinacional que implementa essa expressão é:

 

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3270437 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-MT
Orgão: IF-MT

Selecione a tabela verdade que corresponde à expressão booleana: \( \overline{(A+B)} \):

 

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3267816 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: IFN-MG
Controladores proporcional (P), integral (I) e derivativo (D) são amplamente empregados em sistemas de controles industriais, sejam sistemas elétricos, mecânicos, eletromecânicos, químicos e entre outros, por apresentarem robustez na atuação. Nesses tipos de controladores, a principal diferença na atuação do controlador derivativo (D) em comparação com o controlador integrativo (I), é:
 

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3267815 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: IFN-MG
Considere um conversor digital-analógico (DAC) utilizando uma rede R2R com uma resolução de 8 bits e uma tensão de referência de 5V. A tensão de saída para uma entrada digital de 11001100, será
 

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3267813 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: IFN-MG
Uma das linguagens de programação largamente empregada em microcontroladores da família 8051 é a linguagem Assembly, por apresentar comandos de compilação e interação direta com o hardware. Em Assembly, o comando que é usado para comparar o conteúdo de um registrador com um valor imediato ou o conteúdo de outro registrador e salta para outra posição da memória se não forem iguais é o comando
 

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3267812 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: IFN-MG
Uma configuração recorrente em estágios finais de amplificação, seja do tipo A, B ou AB, é a configuração coletor-comum, pois apresenta ganho de corrente
 

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3267811 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: IFN-MG
Os transistores de efeito de campo (JFET e MOSFET) representam um grande avanço na eletrônica por propiciarem uma redução considerável nos níveis de potência nos dispositivos eletrônicos bem como o aumento da densidade em circuitos integrados quando comparados aos transistores bipolares de junção (TBJ). Por outro lado, ao serem empregados como amplificadores de sinais, os transistores de efeito de campo
 

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3267810 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: IFN-MG
Muito além da diferença de encapsulamento, os diodos de potência e retificação, quando comparados aos diodos comuns, apresentam
 

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3263621 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNDATEC
Orgão: Pref. Passo Fundo-RS
Provas:
É correto afirmar que, na região ativa, o transistor:
 

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Considere um sinal \( x(t) \) gerado por um radar que utiliza técnicas de compressão de pulso. O sinal \( x(t) \) do tipo chirp gerado no radar possui a seguinte expressão geral:


\( x(t)=\Pi (2 \times 10^5 t)cos(6\pi \times 10^6 t + \pi \times 10^{11}t^2) \),

em que a função retangular é definida como: \( \Pi(x)=\begin{cases} 1,|x|<1/2\\0,|x|>1/2 \end{cases} \)

O argumento da função trigonométrica de um sinal do tipo chirp define o seu tipo de modulação em frequência, que pode ser linear ou não-linear.

A largura de banda de varredura de um sinal chirp é a diferença entre as frequências instantâneas no final e no início do pulso.

A largura de banda de varredura de \( x(t) \) é igual a

 

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