O circuito da figura abaixo é um circuito básico de um sensor de temperatura. Os diodos D₁ e D₂ são iguais e estão na mesma temperatura, T. Sabendo que !$ I_D=I_s \cdot {\large{q \cdot V_D \over η \cdot k \cdot T}} !$, em que I_D é a corrente no diodo, V_D é a tensão no diodo, T é a temperatura e I_s , !$ η !$, k e q são constantes, é correto afirmar que a expressão de V_o é:

O Mosfet do circuito da figura abaixo possui !$ V_t=0,6 V !$; !$ \mu_n \cdot C_{ox}=200 \, \mu A/V^2 !$, !$ {\large{W \over L}}=5 !$ e !$ λ=0 !$. Considere que: !$ V_t !$ é a tensão de limiar; !$ \mu _n !$ é a mobilidade de elétrons no canal; !$ C_{ox} !$ é a capacitância por unidade de área entre a porta e a região de canal do Mosfet; W é a largura do canal; L é o comprimento do canal e !$ λ !$ é a modulação de comprimento de canal. Sabendo que o Mosfet está operando na região de saturação e que a corrente no dreno vale 80 !$ \mu A !$, é correto afirmar que a tensão no dreno e a resistência R valem, respectivamente:

A manutenção Preventiva (MP) de equipamentos médico-odontológicos amplia a vida útil do equipamento com a consequente redução dos custos e aumento da sua segurança e desempenho. Como forma de iniciar a priorização da Manutenção Preventiva, após o levantamento inicial dos mesmos, podemos utilizar os seguintes critérios:

Os Amplificadores Operacionais são alguns dos componentes mais básicos em sistemas analógicos. Sobre as características de um Amplificador Operacional Ideal:

O circuito apresentado na figura abaixo é utilizado para polarização de circuitos amplificadores. O circuito é uma implementação de uma fonte de corrente utilizando o circuito espelho de corrente. Os valores da mobilidade de elétrons no canal (μ_n), da capacitância por unidade de área (C_ox) entre a porta e a região de canal do transistor e da tensão de limiar (V_t) são os mesmos para os transistores Q₁ e Q₂. Considere que: W é a largura do canal; L é o comprimento do canal; as relações entre as dimensões do canal dos transistores valem !$ {\large{W \over L}}=20 !$ para o transistor Q₁ e !$ {\large{W \over L}}=40 !$ p a ra o transistor Q₂. Sabendo que o valor da tensão na porta do transistor Q₁ é 2,5 V, que o valor da modulação de comprimento de canal (!$ λ !$) é zero e que os transistores estão operando na região de saturação, é correto afirmar que o valor da corrente no dreno (I_DQ2) do transistor Q₂ é:

O circuito digital com CMOS apresentado na figura abaixo implementa uma determinada função lógica. O circuito possui quatro transistores (Q₁, Q₂, Q₃ e _Q4), duas entradas (A e B) e uma saída (Y). A função lógica implementada pelo circuito é:

Um técnico de laboratório precisa montar um circuito digital de 3 entradas e 1 saída que obedeça a Tabela da Verdade apresentada na tabela abaixo. Na tabela, A, B e C representam as entradas do circuito digital e Y representa a saída do circuito digital. É correto afirmar que a expressão lógica de Y é:

Para ligar uma lâmpada com um LDR (resistor dependente da luz), um técnico em eletroeletrônica montou o circuito apresentado na figura abaixo. O técnico empregou um transistor bipolar com as seguintes características: !$ \beta !$ = 300 e V_BE = 0,7 V. Na Tabela estão apresentados os valores que relacionam a resistência do LDR e o iluminamento (E) do LDR. Sabendo que o LDR está recebendo um iluminamento de 937,34 lux e que o transistor está operando na região ativa, o valor da corrente na lâmpada vale aproximadamente: