Foram encontradas 120 questões.

O esquema acima ilustra um circuito de polarização empregando um TBJ do tipo npn. Considerando que a tensão do terminal de base esteja 0,7 V acima daquela do terminal de emissor, e que o ganho de corrente de emissor comum (!$ \mathrm{\beta} !$) seja igual a 200, julgue o item que se segue.
A diferença de potencial entre os terminais de coletor e emissor é superior a 4,5 V, comprovando que o TBJ opera no modo ativo.
Provas
Questão presente nas seguintes provas

O circuito de polarização acima é implementado com um transistor de efeito de campo de junção JFET do tipo canal n. Esse circuito, utilizado em projetos de amplificadores de tensão, possui uma diferença de potencial entre dreno e fonte fixada em VDS = 3 V. Considerando esse circuito, julgue o próximo item.
A dissipação de potência pelo JFET, nesse circuito, é superior a 10 mW.
Provas
Questão presente nas seguintes provas

O circuito de polarização acima é implementado com um transistor de efeito de campo de junção JFET do tipo canal n. Esse circuito, utilizado em projetos de amplificadores de tensão, possui uma diferença de potencial entre dreno e fonte fixada em VDS = 3 V. Considerando esse circuito, julgue o próximo item.
Para que o JFET conduza corrente e estabeleça VDS = 3 V, é necessário que a tensão de limiar Vp (ou tensão de estrangulamento) desse dispositivo seja maior que VGS = -0,7 V (diferença de potencial entre porta e fonte do JFET).
Provas
Questão presente nas seguintes provas
Com relação às regiões de operação de um TBJ, julgue o item a seguir.
Transistores TBJ npn e pnp são empregados em circuitos amplificadores e circuitos lógicos. Em aplicações de amplificação, os TBJ são polarizados no modo ativo, no qual é possível obter uma relação linear entre o sinal de saída e o sinal de entrada. Em aplicações lógicas, por sua vez, explora-se o comportamento não-linear dos TBJ, os quais são forçados a operar em saturação ou em corte, dependendo do nível do sinal de entrada.
Provas
Questão presente nas seguintes provas
Com relação às regiões de operação de um TBJ, julgue o item a seguir.
Na característica corrente versus tensão do TBJ pnp, existem, basicamente, três modos, ou regiões de operação identificáveis: ativo, saturação e corte. A região de operação é determinada pela polarização entre os terminais de emissor, base e coletor do transistor. No modo ativo, a junção emissor-base (JEB) é reversamente polarizada, ao passo que a junção coletor-base (JCB) é diretamente polarizada. No modo saturação, as junções JEB e JCB são diretamente polarizadas; e o modo corte é caracterizado pela polarização reversa das junções JEB e JCB.
Provas
Questão presente nas seguintes provas

O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos sinais são gm = 16,6 × 10-3 S, rB = 6,0 k!$ \Omega !$ e ro = 121 k!$ \Omega !$. Com referência a esse circuito, julgue o item seguinte.
Para que haja máxima absorção de potência pela carga RG, é necessário que o valor de RG seja diferente da resistência equivalente de Thévenin do circuito amplificador, que, no circuito apresentado, é dada precisamente por 2,5 k!$ \Omega !$.
Provas
Questão presente nas seguintes provas

O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos sinais são gm = 16,6 × 10-3 S, rB = 6,0 k!$ \Omega !$ e ro = 121 k!$ \Omega !$. Com referência a esse circuito, julgue o item seguinte.
O ganho de tensão do circuito amplificador em questão equivale, aproximadamente, a Av = – 20,6 V/V. Nesse circuito, um sinal de saída vout está defasado de 180º com respeito a um sinal de entrada senoidal vin.
Provas
Questão presente nas seguintes provas

O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos sinais são gm = 16,6 × 10-3 S, rB = 6,0 k!$ \Omega !$ e ro = 121 k!$ \Omega !$. Com referência a esse circuito, julgue o item seguinte.
A resistência de entrada do circuito amplificador, Rin, é igual a 20 k!$ \Omega !$.
Provas
Questão presente nas seguintes provas
Acerca de conceitos relacionados a mecatrônica, julgue o item subsequente.
O volume do espaço de trabalho de um robô manipulador depende não somente da quantidade de juntas que ele possui, mas, principalmente, da configuração geométrica do manipulador e das restrições físicas das juntas.
Provas
Questão presente nas seguintes provas
Acerca de conceitos relacionados a mecatrônica, julgue o item subsequente.
Um conversor D/A de 8 bits cuja faixa de escala total seja de 10 V possui uma faixa de erro superior a 19 mV.
Provas
Questão presente nas seguintes provas
Cadernos
Caderno Container