Durante o desenvolvimento de um circuito integrado existem diversas etapas que são executadas, que potencialmente podem introduzir inconsistências lógicas. Neste contexto, a checagem de equivalência lógica:

1 - Emprega um processo de simulação exaustiva para detectar os possíveis erros lógicos e os compara com o sistema
descrito em HDL.

2 - Só pode ser utilizada na etapa de síntese lógica.

3 - Só é empregada em sistemas lógicos regulares como data path.

4 - Pode ser empregada da etapa de síntese lógica até a verificação física (leiaute extraído).

Estão corretas as afirmativas:

Dado o seguinte código em System Verilog:

bit [3:0] v;
event m,n;

initial v = 0;

initial begin
#0 v = 1;
-> m; @n;
#10 v = 2;
end

initial begin
#0 v = 3;
-> n; @m;
#10 v = 4;
end

initial #1000 $display("v = %d",v);

Qual o valor de “v” impresso pelo programa?

Um amplificador operacional possui tensões de entrada V_i1 = 3 mV e V_i2 = 1 mV. Levando-se em conta que o amplificador possui ganho diferencial A_d de 2500 e CMRR (Common Mode Rejection Ratio – Razão de Rejeição de Modo Comum) de 100, pode-se afirmar que a tensão de saída é igual a

Trata-se de uma alternativa muito comum em organizações mais conservadoras, mas que está sendo abandonada pelo seu caráter extremamente centralizador, monopolizador e burocrático, na qual quem avalia é o (a)

Um usuário fez um script que executa a seguinte sequência de comandos em um SO Linux:

(...)
mkdir prova recuperacao
touch prova/prova1.txt
touchrecuperacao/recuperacao1.txt
chmoda-x prova
chmod 333 recuperacao
(...)

Após a execução, o usuário fez os seguintes testes, sempre a partir do diretório pai dos subdiretórios prova e recuperação:

I) ls prova

II) lsrecuperacao

III) cd prova &&ls

IV) cdrecuperacao&&ls

A respeito dos testes realizados, pode-se afirmar que

Avalie a corrente de saturação em 300 K para a junção p-n de Si das questões 18 e 19. Considere t_p = t_n = 0,5 ms.

O facetamento por Sputtering decorre da dependência da taxa de remoção em relação ao ângulo de incidência dos íons que bombardeiam a superfície. Com relação ao ângulo entre o feixe de íons incidentes e a superfície bombardeada pelo feixe, a taxa de remoção será menor para um ângulo de

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