Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

A mobilidade de portadores em materiais semicondutores depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Os semicondutores do tipo silício puro são classificados como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da indústria de circuitos microeletrônicos.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

A energia da banda proibida é o valor mínimo de energia necessário para liberar um elétron de sua ligação covalente.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se movem da região de maior concentração para a região de menor concentração; esse movimento define uma corrente elétrica denominada corrente de difusão.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Uma junção p-n entra em equilíbrio quando o campo elétrico da região de depleção atinge um valor nulo e interrompe as correntes de deriva, ou seja, no equilíbrio, as correntes de deriva criadas pelo campo elétrico são canceladas, resultando na junção somente as correntes de difusão, criadas pelos gradientes de concentração.

Com relação a chaves eletrônicas, assinale V (verdadeiro) ou F (falso) em cada afirmativa a seguir.

( ) Uma chave eletrônica é caracterizada por ter dois estados de operação, ligado e desligado, não podendo atuar em regiões diferentes desses estados.

( ) Um diodo dito ideal comporta-se como chave aberta, quando polarizado diretamente, e como chave fechada, quando polarizado reversamente.

( ) Tiristores, ou SCR, são chaves eletrônicas de três terminais utilizadas para controlar o estado ligado com baixas frequências de chaveamento.

( ) O GTO entra em condução com uma corrente positiva de gatilho de curta duração, se a tensão anodo-catodo for positiva, e desliga quando há uma corrente negativa de curta duração no gatilho.

( ) O IGBT é uma conexão integrada de um MOSFET e de um TJB, tendo características no seu estado ligado equivalentes às do TJB e, por isso, substituindo-o em várias aplicações.

A sequência correta é

Relacione os tipos de circuitos eletrônicos de potência à esquerda às suas respectivas características à direita.

A sequência correta é

Considerando números fracionários com 8 bits de resolução, o resultado em valor decimal da soma dos números binários (11001,110)₂ e (01011,101)₂ será