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2653167 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Considere a seguinte expressão booleana:

!$ x \, = \, A \bar{B}C \, + \, C\bar{D} \, + \, AB \bar{C} \bar{D} \, + \, \bar{A} B \bar{C} \bar{D} \, + \, \bar{C} \bar{B} + CD \bar{B} !$

Qual a versão simplificada da equação booleana anterior?

 

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2653166 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Considere o circuito a seguir.

Enunciado 3133054-1

O circuito é formado por uma fonte de corrente contínua I, um indutor L, um resistor R e uma chave S.

Considere que a chave seja fechada no instante de tempo t=0s.

Nesta condição, é correto afirmar que

 

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2653165 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Observe os circuitos a seguir.

Enunciado 3132940-1

Os circuitos passivos I, II e III dispostos na figura representam, respectivamente,

 

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2653164 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Informe (V) para verdadeiro e (F) para falso acerca do que se afirma sobre o diodo.

( ) Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo resultante de carga em qualquer direção é diferente de zero.

( ) A corrente que surge sob condições de polarização reversa é chamada de corrente de saturação reversa.

( ) Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando a associação tipo p e positivo, e tipo n e negativo, for estabelecida.

( ) O potencial máximo de polarização reversa permitido para que o diodo não entre na região zener é chamado de tensão de pico reversa ou tensão de pico inversa.

( ) A tensão de polarização direta para alcançar a região de condução dos diodos de silício é da ordem de 0,3 V.

A sequência correta é

 

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2653163 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Observe o diagrama a seguir.

Enunciado 3132932-1

A expressão booleana que representa o diagrama lógico alimentado pelas entradas digitais “A”, “B”, “C”, “D”, “E” e “F” é descrita por

 

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2653162 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Considerando-se a expressão lógica a seguir, !$ Z \, = \, A\bar{B} \, + \, \overline{A \, (\bar{A} B)} \, + \, \overline{\bar{B} \, ({A} B)} \, + \, \bar{A}B, !$ é correto afirmar que Z = 0 quando

 

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2653161 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Utilizando o transistor bjt como chave e em função do nível lógico (alto ou baixo) de Va e Vb determine a saída Vo.

Enunciado 3132930-1

Va Vb Vo
Baixo Baixo
Baixo Alto
Alto Baixo
Alto Alto

A sequência correta que apresenta a saída Vo do quadro anterior é

 

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2653160 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Informe (V) para verdadeiro e (F) para falso em relação às características dos transistores de efeito de campo.

( ) Possuem alta impedância de entrada.

( ) Possuem baixa impedância de entrada.

( ) São um dispositivo controlado à corrente.

( ) São um dispositivo controlado à tensão.

( ) Existem transistores de efeito de campo canal n e canal p.

A sequência correta é

 

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2653159 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Determine no transistor BJT a corrente de base (Ib), corrente do coletor (Ic) e a diferença de potencial entre o coletor e o emissor (Vce) para o circuito a seguir, onde a diferença de potencial entre a base e o emissor (Vbe) = 1V e o ganho da corrente (!$ \Beta !$) = 100.

Enunciado 3132926-1

Os valores de Ib, Ic e Vce são, respectivamente,

 

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2653158 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FCM
Orgão: IF-BA

Observe a figura a seguir.

Enunciado 3132925-1

Considerando-se que os diodos do circuito foram modelados como ideais, os valores das quedas de tensão nos diodos D1 e D2 e da resistência R1 são, respectivamente,

 

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